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摘要
推导了布拉格光栅三维耦合系数公式，构建了一种新型的波导型布拉格光栅三维数值模型，并基于此设计制备出一种基于SiO2平面波导结构的低耦合系数、窄线宽、高阶布拉格光栅。从理论设计和试验验证两方面系统分析了布拉格光栅刻蚀深度及占空比对光栅耦合系数和线宽的影响，并最终设计制备出了中心波长为1 554.053 nm，反射率为-8.5 dB，峰值半高宽为89 pm的SiO2波导结构布拉格光栅器件。本文设计制备的低耦合系数高阶布拉格光栅器件工艺简单，成本低，在滤波器、传感器及外腔窄线宽激光器领域中有广阔的应用前景。
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单位河南仕佳光子科技股份有限公司; 中国科学院半导体研究所; 集成光电子学国家重点实验室
