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摘要
随着半导体产业的高速发展，集成电路制造中光刻工艺特征尺寸极限化微缩，套刻精度的要求也愈来愈极端严苛。本文基于影响套刻精度的核心技术，即对准技术，对该技术中精密测量传感系统的设计和微纳测量对象对准标记的设计两个方面进行了归纳分析，就业内国际顶尖科技公司的技术发展进行了整理，并详细介绍了他们在对准测量技术路径演化进程中所起到的推动作用。同时，还对当前国内各相关技术团队在该方向的最新研究成果进行了总结。以此为基础，进一步讨论了面向更为先进的工艺节点，光刻对准技术的改进方向和优化思路，从而为获得更高精度的套刻性能提供重要的技术参考。
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