Fe_xRh_1-x（0.4＜x＜0.6）薄膜的结构与磁性能研究

作者：廖从文; 卢志红; 袁晓娟; 冯金地; 李昆鹏

来源：武汉科技大学学报, 2022, 45(06): 418-423.

DOI：10.3969/j.issn.1674-3644.2022.06.003

• FeRh薄膜
• 直流磁控溅射
• Fe含量
• 铁磁
• 反铁磁
• 相变

利用直流磁控溅射技术在MgO（001）基片上沉积外延FexRh1-x（0.4＜x＜0.6）薄膜，研究了Fe含量x对FexRh1-x薄膜晶格常数和磁性能的影响。结果表明，随着x由0.42增至0.58,所制薄膜c轴晶格常数由0.3017 nm降至0.2983 nm。当x＜0.5时，FexRh1-x薄膜室温下以反铁磁相为主，在340 K附近发生反铁磁相到铁磁相转变，由于晶格畸变作用，富Rh薄膜（x=0.42）的相变温度和热滞相比于富Fe薄膜（x=0.49）有所下降，通过调控合金中Rh含量可控制相应的面外晶格膨胀/收缩，从而在270～340 K区间获得需要的相变温度。当x＞0.5时，FexRh1-x薄膜室温下为铁磁相，没有发生反铁磁相到铁磁相的转变，这可能是由于最近邻Fe原子间的交换作用破坏了次近邻Fe原子间的反铁磁耦合，在FexRh1-x薄膜中加入过量Fe元素可使薄膜在整个温度范围保持铁磁性。

• 单位
  武汉大学; 武汉科技大学