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摘要
本发明涉及一种p型硫化铜透明导电薄膜及制备方法。所述硫化铜透明导电薄膜在方阻低至10欧姆/□时,可见光范围的透过率最高为86%,电阻率最优可达到1.02×10-4?·cm；所述的p型硫化铜薄膜中所含的硫化铜为p型半导体材料,其带隙范围为1.5-2.0 eV。制备硫化铜透明导电薄膜的操作步骤包括：将胺类化合物、巯基化合物、和铜前体在溶剂中混合进行反应,得到前体反应溶液；将所述前体反应溶液在基底上经湿法加工技术成膜后,对基底进行加热,得到p型硫化铜透明导电薄膜。该方法可实现一步直接制备硫化铜透明导电薄膜,制备成本低,通过提拉镀膜法可实现宏量制备,制备的硫化铜透明导电薄膜具有较低的方阻和较高的透过率,性能接近n型透明导电薄膜。
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