带飞跨电容的三电平拓扑中SiC MOSFET过电压与过电流保护

作者：庄桂元; 张兴; 刘威; 庄加才

来源：电工技术学报, 2021, 36(02): 341-351.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191638

• 三电平
• 大电容值
• 飞跨电容
• 过电压保护

为保证SiC MOSFET在三电平拓扑中应用的可靠性,需对其进行过电压与过电流保护。该文针对短路导致的过电压情况,提出在中点钳位(NPC)拓扑中加入大电容值飞跨电容的方法,并结合短路保护,保证发生短路故障时SiC MOSFET不过电压损坏,且能快速保护关断,以减小过电流风险。通过搭建短路测试平台,验证了三电平电路发生短路故障时,大电容值飞跨电容对SiC MOSFET起到过电压保护作用,且SiC MOSFET的短路保护时间在2μs以内。

• 单位
  合肥工业大学