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摘要
利用离子束辅助沉积方法在Si片上沉积Ta/Zr薄膜，研究辅源离子能量对薄膜表面形貌和粗糙度的影响，通过扫描电镜和光学表面轮廓仪对其表面形貌和粗糙度进行表征。实验结果表明：辅源离子能量对薄膜的生长有很大的影响。Ta/Zr薄膜的沉积速率随着辅源能量的增加而减小，表面粗糙度随着辅源能量的增加先减小后增加，在离子能量为200 eV时，沉积得到的Ta/Zr薄膜较好，这主要因为在溅射过程中，适当的辅源离子能量可促进原子在薄膜表面的迁移，从而减少空隙的生成，引起薄膜表面致密化。在此基础上将该制备工艺固化并应用到栅控脉冲行波管中，该应用得到了较好的效果。
