更耐高压、更低功耗:新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件舞台

作者：申占伟; 张峰; 闫果果; 刘兴昉; 赵万顺; 王雷; 赵永梅; 黄亚军; 宋庆文; 张艺蒙

来源：科技纵览, 2019, (9): 64-65.

几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直"独唱主角",硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响.然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功率器件达到了理论极限,第二代半导体材料砷化镓(GaAs),以及以碳化硅(SiC)半导体材料和氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带半导体材料(禁带宽度大于3.2eV)等为代表的第三代半导体材料纷纷登上半导体的舞台.

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 西安电子科技大学