科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_2O_3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_2O_3材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_2O_3器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系。
- 单位
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_2O_3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_2O_3材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_2O_3器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系。
