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摘要
本发明涉及半导体器件领域,公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管,其包括侧绝缘层,所述侧绝缘层位于漂移区的侧面,沿纵向延伸,且在延伸方向上的横向宽度不相同。通过设置位于所述侧绝缘层侧面的源极,可以辅助耗尽器件的漂移区,提高击穿电压,并在一定的击穿电压条件下,使更高掺杂浓度的漂移区耗尽,降低器件的比导通电阻。侧绝缘层在横向宽度变化处还可以产生新的电场峰,增强横向电场的调制效应,进一步提高击穿电压。同时,横向宽度较宽的侧绝缘层可以获得大的击穿电压。在满足一定击穿电压的条件下,横向宽度较窄的侧绝缘层有利于使更高掺杂浓度的漂移区耗尽,降低比导通电阻,实现了击穿电压与比导通电阻的更好折衷。
- 单位
