退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

作者：吴涛; 江先锋; 周旻超; 郭栓银; 张丽芳

来源：电子元件与材料, 2013, (04): 24-27.

• p型砷化镓
• 欧姆接触
• 磁控溅射
• Ti/Pt/Au
• 退火
• 圆形传输线模型
• 比接触电阻率 p-type GaAs
• ohmic contact
• magnetron sputtering
• Ti/Pt/Au
• annealing
• circular transmission line model
• specific contact resistivity

采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60 s)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400~450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120 s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10–6.cm2。

• 单位
  中国科学院苏州生物医学工程技术研究所