InP太赫兹功率放大器芯片

作者：孙岩; 程伟; 陆海燕; 王元; 王宇轩; 孔月婵; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(06): 473.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.06.014

<正>太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300 GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315GHz,小信号增益>15 dB, 293 GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9 mm。图1和图2分别展示了芯片的实物照片和测试结果。