上海光源极紫外光刻胶检测平台

作者：赵俊; 杨树敏; 薛超凡; 吴衍青^*; 陈宜方; 邰仁忠

来源：应用化学, 2021, 38(09): 1168-1174.

DOI：10.19894/j.issn.1000-0518.210190

• 极紫外
• 光刻胶检测
• 干涉光刻

极紫外光刻技术作为下一代光刻技术,被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻胶是极紫外光刻技术的核心子技术之一,其分辨率、粗糙度、灵敏度以及放气情况等指标的检测是开展极紫外光刻胶研发的必要条件和实现极紫外光刻胶配方优化的重要环节。基于同步辐射的极紫外干涉光刻技术是目前最适合开展的一种用于极紫外光刻胶性能检测的方法。上海光源根据相关的研发需求,已建立了一个基于该方法的极紫外光刻胶检测平台。通过不断改善装置的稳定性,发展自主的分束光栅掩膜制作技术,以及不断摸索和优化相应的干涉曝光工艺,目前检测平台的曝光分辨率测试水平已能达到20 nm以下,基本满足极紫外光刻7 nm工艺节点的相应要求。

• 单位
  中国科学院上海高等研究院; 上海光源; 复旦大学