一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT

作者：徐阳; 张伟; 岳磊; 许军

来源：微电子学与计算机, 2006, 23(5): 93-96.

DOI：10.3969/j.issn.1000-7180.2006.05.028

• SiGe HBT
• 图形外延
• 自对准
• 高压

为了改善高压功率SiGe HBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGe HBT器件.相对于双台面结构的SiGe HBT而言,该结构的SiGe HBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BVCBO也提高了近28%.经测试,器件的结漏电和直流增益等参数均符合设计要求.

• 单位
  清华大学