N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究

作者：周群; 林钢; 李曦; 沈国飞; 曹刚; 石艳玲

来源：电子器件, 2011, (01): 36-39.

• SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)
• 退火工艺
• 电荷保持性能
• 界面态 polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)
• anneal process
• data retention
• interface state

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化。通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3×10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少。因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能。

• 单位
  上海华虹NEC电子有限公司; 华东师范大学