采用离子注入对半导体器件的进行掺杂，能实现精确掺杂，在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量，不同离子注入硼与磷的能量，对于深结扩散后表面浓度的影响，从而得到较理想的工艺注入能量，以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性，并在深结扩散器件中得到有效的利用，取得较理想的效果。
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