0.15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件

作者：周建军; 董逊; 孔岑; 孔月婵; 李忠辉; 陈堂胜; 陈辰

来源：固体电子学研究与进展, 2012, (01): 101.

• 毫米波器件
• 二维电子气
• 电子漂移速度
• 击穿场强
• 电子迁移率
• 化学性质
• 器件研究
• 抗腐蚀
• 优选材料
• 宽带隙

<正>宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质,是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN/GaN HEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性