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摘要
采用磁控溅射技术制备了金属-半导体-金属(Metal-Semiconductor-Metal, MSM)结构的锡(Sn)掺杂的氧化镓(Ga2O3)薄膜紫外探测器，借助扫描电子显微镜、X射线衍射分析仪、X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计等测试设备表征了Ga2O3薄膜的表面形貌、晶体结构、元素组成、透过率以及紫外探测性能。实验结果表明，制备的Ga2O3薄膜表面光滑平整，由微小的纳米颗粒组成，Sn元素主要以Sn4+离子形式，形成替位式杂质；掺杂Sn后的Ga2O3薄膜表面粗糙度增大，晶体质量下降，能有效地增强薄膜在紫外线光区的吸收能力；相比未掺杂Sn的Ga2O3紫外探测器，Sn掺杂能够有效地提升器件的光响应度和光暗电流比，且重复性和稳定性好。
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