本发明公开了一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)通过磁控溅射制备Cr/Cu/SmCo/Cr结构的磁性薄膜材料;2)将步骤1)的磁性薄膜材料放入红外退火炉,以5~20℃/s的升温速率将炉内温度升至350~500℃,再保温5~10min。本发明的制备方法操作简单易控、处理时间短、处理成本低、处理效率高,制备得到的SmCo薄膜的垂直磁各向异性大、磁性能优异。