一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器

作者：李垚; 朱晓维^*

来源：微波学报, 2019, 35(06): 26-30.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.201906005

• 无源双平衡混频器
• 单片微波集成电路
• 宽带

采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8～6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8～6 GHz频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO到RF的隔离度大于40 dB,输入1 dB压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。

• 单位
  毫米波国家重点实验室; 东南大学