裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响

作者：肖宗湖; 张萌; 熊传兵; 江风益; 王光绪; 熊贻婧; 汪延明

来源：人工晶体学报, 2010, 39(04): 895-899.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.04.039

• Si衬底
• InGaN/GaN
• LED
• 裂纹
• 应力

本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。

• 单位
  教育部发光材料与器件工程研究中心; 晶能光电（江西）有限公司; 晶能光电(江西)有限公司; 南昌大学