CVD工艺是半导体芯片进行薄膜沉积加工的重要工艺,薄膜沉积的均匀性对最终芯片产品的良率有着至关重要的影响。CVD腔室是沉积反应进行的场所。反应气体从进入腔室进行沉积反应到最后从腔室排出,整个过程中流场分布所影响的不仅仅是沉积的均匀性,还有气体的扰动,流向,压力等变化所带来颗粒度问题。本文主要使用Solidworks Flow Simulation软件进行腔室流场仿真,分析CVD腔室结构变化对流场均匀性带来的影响及对应变化趋势。
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