沉积条件对CVD法SiC涂层形貌和组成成分的影响

作者：周乐平; 张明瑜; 黄启忠

来源：炭素技术, 2010, (05): 1-4.

DOI：10.14078/j.cnki.1001-3741.2010.05.007

• CVD
• SiC涂层
• 组成成分
• 沉积条件 CVD
• SiC coating
• composition
• deposition condition

采用MTS-H2-Ar体系通过等温化学气相沉积(CVD)在石墨基底表面沉积了SiC涂层。研究了沉积温度、气体总压和气体流量对涂层形貌和组成成分的影响。SEM和AFM观察表明,SiC一次颗粒尺寸在100nm以内。在本实验的沉积条件变化范围内,Ar流量增大使涂层表面变粗糙,温度升高使涂层变厚。X射线衍射和拉曼光谱分析显示沉积物主要为3C型的β-SiC。气体总压和H2流量都增大时易生成游离Si。气体总压较小而H2流量较大时易生成游离C。当气体总压为5kPa,H2流量为500mL·min-1时可得到化学计量比的SiC。

• 单位
  粉末冶金国家重点实验室; 中南大学