纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法

作者:崔江维; 郑齐文; 余徳昭; 周航; 苏丹丹; 马腾; 郭旗; 余学峰
来源:固体电子学研究与进展, 2017, 37(06): 433-437.
DOI:10.19623/j.cnki.rpsse.2017.06.013

摘要

P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。

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