CdSe/TiO_2复合薄膜的制备及光电性能研究

作者：薛晋波; 李雪方; 梁伟; 王红霞

来源：材料工程, 2013, (01): 21-24.

• 电化学沉积
• TiO2纳米管
• 沉积电压
• CdSe纳米晶薄膜

以SeO2,CdCl2.5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态;随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳。

• 单位
  太原理工大学