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摘要
本发明属于宽谱偏振光探测领域,公开了一种基于γ-InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用,所述混维异质结的光电二极管的结构为漏电极/InSe/Ge垂直异质结/源电极；该光电二极管是先在Ge衬底上沉积SiO-2介质层,利用光刻和刻蚀在SiO-2介质层上获得Ge窗口,随后光刻显影出电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极,再将InSe纳米片转移至Ge窗口上形成InSe/Ge混维异质结,在惰性气体中100～150℃退火处理制得。该光电二极管在400～1600nm波长内具有优异的自驱动光响应和宽波段偏振光探测的性能,可用于超快宽谱探测,偏振光探测和近红外成像等领域。
- 单位
