暴露(002)晶面的WO3纳米片薄膜的光电催化性能

作者:郭晨鹏; 李晶晶; 李丽华; 顾永军; 黄金亮*
来源:半导体光电, 2021, 42(04): 532-541.
DOI:10.16818/j.issn1001-5868.2021.04.016

摘要

采用一步水热法,以钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为原料,草酸(H2C2O4)为结构导向剂,在FTO衬底上制备了具有高活性(002)面的WO3纳米片薄膜。利用XRD,FESEM对薄膜的物相和形貌进行了分析,通过UV-Vis,PL对薄膜的能带结构和载流子的分离能力进行了表征,通过电化学工作站对WO3薄膜的光电性能进行了研究。分析了草酸用量对WO3纳米片薄膜的晶体取向、形貌尺寸和光电催化性能的影响。结果表明:草酸用量为0.30g时,WO3纳米片薄膜的(002)面衍射峰强度最高,具有良好的光电催化性能。

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