基于GaN HEMT器件的气体传感器制备及性能表征

作者：何俊奇; 李汶懋

来源：中阿科技论坛(中英文), 2022, (09): 105-111.

• CO
• 气体传感器
• GaN
• HEMT

一氧化碳(CO)因其无色无味难以察觉且具有极强的毒性，被称为“无声的杀手”。相较于硅(Si)、二氧化硅(SiO2)等传统材料传感器，第三代半导体材料氮化镓(Ga N)制备的传感器因材料具有更宽禁带而拥有耐腐蚀、化学稳定性高、耐高温等优势。本文针对CO气体设计了基于Ga N HEMT器件制备气体传感器，并在不同温度下分别表征其对给定200 ppm的CO的响应性能、浓度梯度变化下响应性能以及输出、击穿、转移三项功率特性。实验结果验证了该结构器件可在高温(400℃)条件下实现低浓度(0.5 ppm)CO响应。

• 单位
  南方科技大学