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摘要
本发明提出了一种双二极管ESD保护电路,包括高端二极管、低端二极管、ESD主通路和寄生PNP三极管。所述高端二极管阳极、低端二极管阴极和寄生PNP三极管发射极与待保护电路IO相连,所述高端二极管阴极、ESD主通路正极和寄生PNP三极管基极与待保护电路VDD相连,所述低端二极管阳极、ESD主通路负极和寄生PNP三极管集电极与待保护电路GND相连。本发明通过寄生PNP三极管释放IO对GND的ESD电流,即增加了一条IO对GND的ESD电流释放路径,相比相同面积的双二极管ESD保护电路,有效地提高了电路的失效电流。
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