一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关

作者：刘方罡; 要志宏

来源：半导体技术, 2019, 44(07): 526-530.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.07.007

• 砷化镓(GaAs)
• 单片微波集成电路(MMIC)
• 单刀双掷(SPDT)开关
• 正电压控制开关
• 功率压缩

设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(P(i(1 dB)))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的P(i(1 dB))。采用中国电子科技集团公司第十三研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,P(i(1 dB))大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的P(i(1 dB))的目标。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所