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摘要
击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标，场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压，文章基于FLR终端结构基础，在每个场限环的边缘引入JTE扩展层，提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管，研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布的影响，通过场限环边缘的JTE层，减弱P+N主结的电场集中效应。Sentaurus-TCAD仿真软件结果表明，NCT结构的PIN二极管的击穿电压为1 063 V，与FLR终端结构相比提高了10.1%，而导通电流几乎一致，Baliga优值提高了21.1%，通过增加一步离子注入的操作，有效提高了PIN的击穿电压。
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