基于分子模拟技术的极端高温条件下材料介电性能的初步研究

作者：成永红; 谢小军; 陈小林; 崔浩; 冯武彤; 赵磊

来源：电工技术学报, 2006, (04): 1-6.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2006.04.001

• 分子模拟
• 极端高温
• 介电性能 Molecular imitation
• ultra-high temperature
• dielectric properties

介绍了分子模拟技术及其数学基础和常用的分子模拟软件,然后以氧化硅晶体为例介绍了分子模拟的计算方法,研究了氧化硅材料极端高温下的介电性能,分析了分子模拟的计算结果。结果显示分子模拟技术在研究材料介电性能方面是可行的,表明该方法是一个有着巨大潜力的研究领域。

• 单位
  电力设备电气绝缘国家重点实验室; 西安交通大学