电子束吸收电流表征方法在芯片失效分析中的应用

作者：虞勤琴; 庞凌华; 于会生

来源：半导体技术, 2020, 45(03): 244-248.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.03.012

• 电子束吸收电流(EBAC)
• 失效分析
• 芯片
• 电压衬度
• 微光显微镜

随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于芯片同层分析。电子束吸收电流(EBAC)表征方法由于其定位精准且不局限于同层分析被越来越多地应用于先进制程芯片的失效分析。通过对开路、高阻和短路失效样品的分析,体现了EBAC方法在集成电路芯片失效分析中的独特优势,在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC方法更加简便精确,可保证分析的成功率并缩短分析周期。