ArF曝光分为干式光刻和浸没式光刻,结合多重曝光技术,分辨率覆盖90~97nm,是芯片制造的主流工艺。ArF光刻胶要求透光率高(193nm波长处)、分辨率高、感度快、抗刻蚀性强、边缘粗糙度小及缺陷少,因此对成膜树脂提出了更高要求。目前报道的ArF光刻胶成膜树脂大致分为三类:(甲基)丙烯酸酯体系;环烯烃体系;马来酸酐体系。主要对三类成膜树脂进行了分类总结,并介绍成膜树脂结构的特点。