氦离子行为与钨中相关缺陷演化的研究

作者：王勇; 吴双; 邓爱红; 王康; 王玲; 卢晓波; 张元元

来源：四川大学学报(自然科学版), 2016, 53(06): 1345-1348.

• 钨
• 离子注入氦空位型缺陷慢正电子束分析

本文通过离子注入向钨体中注入100keV氦离子,并使用慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同注量的氦在钨体内的行为以及氦相关缺陷的演化.实验结果表明:在不同的氦注量条件下,样品的S-W参数呈相同线性分布显示氦离子的注入会引入同一类型的空位型缺陷,并且随着氦离子注量增加,S参数的增大表明引入空位型缺陷浓度的逐渐增加.通过与其他未退火样品对比发现样品退火后的S参数出现明显改变,该结果表明相对于其他影响因素如注量,钨中空位型缺陷更容易受热效应的影响.

• 单位
  西南民族大学; 四川大学; 辐射物理及技术教育部重点实验室