高压SOI LDMOS设计新技术——电场调制及电荷对局域场的屏蔽效应在高压SOI LDMOS设计中的应用

作者：段宝兴; 张波; 李肇基

来源：微电子学, 2007, (04): 459-465.

• SOILDMOS
• 击穿电压
• 比导通电阻
• 电场调制
• 屏蔽效应 SOI LDMOS
• Breakdown voltage
• Specific on-resistance
• Electric field modulation
• Shielding effect

针对SOI基LDMOS结构的特殊性,结合高压器件中击穿电压和比导通电阻的矛盾关系,以作者设计的几种新型横向高压器件为例,说明了利用电场调制和电荷对局域场的屏蔽效应来优化设计新型SOI LDMOS的新技术;同时,指出了这种新技术较传统设计方法的优缺点。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室