基于Fe掺杂的GaN基横向结构发光二极管及制作方法

作者：许晟瑞; 苏华科; 高源; 张雅超; 陈大正; 李培咸; 张进成; 郝跃

来源：2020-08-31, 中国, CN202010899268.9.

本发明公开了一种基于Fe掺杂的GaN基横向结构发光二极管及其制备方法,主要解决现有GaN基横向结构发光二极管工作时电流集边的问题。其自下而上包括：衬底(1),低温GaN成核层(2),n型GaN层(3),In_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱层(4),p型GaN层(5)和电极(6),其中n型GaN层(3)设为三层结构,第一层是n型GaN层,第二层是Fe掺杂的n型GaN层,第三层是n型GaN层,以降低第二层的载流子浓度。本发明通过Fe掺杂减小了n型GaN层的浓度,避免了电流集边效应,实现了电流拓展,提高了器件的发光效率及可靠性,可用于高亮度照明设备及LED显示设备中。

• 单位
  西安电子科技大学