碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

作者：甘平; 辜敏; 卿胜兰; 鲜晓东

来源：功能材料, 2012, (11): 1455-1458.

• 碲基复合薄膜
• 原子力/扫描探针显微镜
• 表面电势
• 电容梯度 tellurium-based composite films
• AFM/SPM
• surface potential
• capacitance gradient

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。

• 单位
  煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室; 自动化学院; 重庆大学