一种基于0.18μm CMOS工艺抗辐照压控振荡器

作者：杨朋博; 罗萍^*; 肖皓洋; 李博; 凌荣勋

来源：微电子学, 2019, 49(06): 807-811.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190073

• 压控振荡器
• 抗辐照设计
• 漏电流补偿
• 总剂量效应

采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器。分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因。针对辐照下NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿技术。基于该技术,提出了一种工作频率在0.5～1 MHz的抗辐照压控振荡器。仿真结果表明,与普通压控振荡器相比,该压控振荡器在输出频率和占空比的稳定性与准确性方面有较大提升。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室