SiC_p/Al电子封装材料与陶瓷元件浸渗连接机理研究

作者：陈闯; 于家康; 杨博

来源：热加工工艺, 2008, (23): 1-4.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.2008.23.001

• SiCp/Al
• 复合材料
• 浸渗
• 连接 SiCp/Al
• composites
• infiltration
• jointing

分别将陶瓷元件嵌入凝胶注模成型后的SiC预制型中,再采用气压浸渗工艺制备高体积分数SiCp/Al复合材料的同时,实现了复合材料与元件的原位连接。采用SEM、EDS和XRD等分析了连接界面的显微组织及界面反应,结果表明:SiCp/Al与元件间的界面反应产物由MgAl2O4和Mg3Al2(SiO4)3等组成,界面反应层厚度约2～3μm,产物生成量主要由Al合金中的Mg、元件中SiO2含量等因素决定;SiCp/Al复合材料与Al2O3元件通过气压浸渗可以实现有效的反应连接。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学