设计了一种适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路，该电路具有低延时、低功耗、高速、高开关频率的特点。电路通过单脉冲产生电路检测开关节点电压，以实现零静态功耗；加入互锁电路以防误触发，消除了由开关节点毛刺导致的上下管直通的现象。电路基于SMIC 0.18μm BCD工艺设计，仿真结果表明，死区时间可随负载变化而自适应调整，且当最坏情况开关节点电压的dv/dt=48 V/ns时，电路高低侧死区时间误差仅为1.59 ns和2.69 ns。
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