S波段200 W硅LDMOS功率管研制

作者：刘洪军^*; 赵杨杨; 鞠久贵; 杨兴; 王佃利; 杨勇

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(05): 333-338.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.05.004

• 硅横向扩散金属-氧化物-半导体
• S波段
• 功率管

研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1～3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。