碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

作者：陈之勃; 陈永真

来源：电源学报, 2018, 16(01): 95-98.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2018.1.95

• 碳化硅MOSFET
• 导通电压
• 开关速度
• 器件损耗

碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,碳化硅MOSFET的开关速度明显快于硅MOSFET;在12 V驱动电平条件下,直接采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET使得变换器的效率明显提升;采用20 V栅极驱动电平,效果更加明显。

• 单位
  辽宁工业大学