镉胁迫下硅对玉米生长的缓解效应

作者：薛醒; 赵潇彤; 徐丽娜^*; 李丽杰; 薛惠云; 张志勇

来源：江苏农业科学, 2023, 51(13): 246-251.

DOI：10.15889/j.issn.1002-1302.2023.13.036

• 玉米
• 镉胁迫
• 硅
• 植株形态
• 生理特性

为了探讨外源硅对镉胁迫下玉米幼苗的生长缓解效应，以豫单9953为试验材料，以浓度为318 mg/kg的硅酸钠和浓度为35 mg/kg的氯化镉分别溶解于水后均匀混拌于土壤中，进行土壤盆栽试验。对玉米苗期地上部分株高、叶面积、SPAD值、光合速率、荧光参数和地下部的根系参数以及可溶性蛋白含量和电导率等指标进行测定。结果表明，硅能显著缓解玉米苗期镉的胁迫。与对照相比，镉处理组的玉米株高、叶面积、叶片和根系的干质量分别下降18.70%、33.40%、39.13%和42.86%,硅的施用改善了镉的抑制，与镉处理相比分别增加了7.66%、11.05%和33.33%、25.00%;硅的施用提高了镉胁迫下总根系长度、体积和表面积；玉米幼苗的光合特性受到镉的胁迫，硅的施用降低了镉对SPAD值和光合速率的胁迫，与镉处理相比分别提高了15.64%和39.49%,同时也改善了镉对玉米叶绿素荧光的抑制，增加了叶片可溶性蛋白含量，降低了叶片相对电导率。硅能显著改善镉对玉米幼苗地上部和地下部的抑制作用，促进根系生长，增强光合作用，调节生理代谢过程，降低地下根系对镉的吸收和转运，提高玉米对镉的耐受能力，为缓解镉对玉米幼苗的胁迫提供栽培技术及理论基础。

• 单位
  河南科技学院