一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管

作者：郑雪峰; 马晓华; 郝跃; 白丹丹

来源：2018-08-28, 中国, CN201810984772.1.

本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层,包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上的复合阳极,包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触；位于第三势垒层上的P型GaN帽层；位于P型GaN帽层上的基极；覆盖在复合势垒层、P型GaN帽层、阳极肖特基接触和基极上的钝化层。本发明实施例的GaN基肖特基势垒二极管通过引入复合势垒层、P型GaN帽层、基极和复合阳极,在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压,改善了器件的击穿特性和可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学