退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响

作者：张雯; 王继扬; 季振国; 李红霞; 娄垚

来源：人工晶体学报, 2010, (03): 588-592.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.03.042

• La_3Ga_5SiO_(14)薄膜
• 脉冲激光沉积
• 退火温度
• 微观结构 La3Ga5SiO14 thin film
• pulsed laser deposition
• annealing temperature
• microstructure

采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400℃时生长的薄膜经过800℃退火处理后呈现无序的多晶形态。当退火温度进一步升高至1000℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构。表面形貌分析表明:衬底温度为400℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺...

• 单位
  山东大学; 杭州电子科技大学; 晶体材料国家重点实验室; 浙江工业大学