Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能

作者：简中祥; 叶志镇; 高国华; 卢洋藩; 赵炳辉; 曾昱嘉; 朱丽萍

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (03): 425-429.

• ZnMgO
• p型掺杂
• 薄膜 ZnMgO
• p-type doping
• thin films

利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω.cm,载流子浓度为1.95×1017cm-3,迁移率为0.546cm2/(V.s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可...

• 单位
  硅材料国家重点实验室