热型和等离子体原子沉积低温生长TiO2研究

作者：杨长伟; 贾毅; 张轩雄

来源：材料保护, 2016, S1: 31-33.

DOI：10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2016.s1.009

• 原子沉积
• TALD
• PEALD
• TiO2

选择TiCl4作为前驱体,使用热型原子沉积(TALD)设备,研究了低温(350℃以下)制备TiO2的生长速率和晶格结构;使用等离子沉积(PEALD)设备,通过等离子H2还原出Ti单质,再通过O3氧化Ti单质层的方法,低温下(300℃以下)制备TiO2。试验发现,衬底、等离子H2的曝光时间对TiO2的生长速率有很大影响,而增加Ti单质层厚度直接导致Ti单质层氧化成锐钛矿TiO2所需要的时间大大增加。PEALD制备的TiO2,结晶性能与Ti单质层厚度和O3曝光时间有很大关系,在不外加能量的情况下,300℃以下无法制备纯金红石相的TiO2。

• 单位
  中国科学院; 上海理工大学