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摘要
本发明公开了一种在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法,主要解决现有技术生长氮化镓薄膜由于位错较多而导致质量不高问题。其实现方案是：首先选用具有凸型或凹型图案的图形化的蓝宝石为衬底；然后使用化学气相沉积CVD的方法,在选取好的图形化蓝宝石衬底上直接生长单层或多层石墨烯；接着再使用金属有机物化学气相沉积MOCVD的方法,在生长了单层或多层石墨烯的图形化蓝宝石衬底上生长1-3um厚度的氮化镓薄膜。本发明减少了在石墨烯上生长氮化镓薄膜的位错,提高了氮化镓薄膜的质量,可用于制作氮化镓基的半导体器件。
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