<正>专利申请号:CN201520484935.1公开号:CN204973124U申请日:2015.07.07公开日:2016.01.20申请人:锦州天桥难熔金属有限公司本实用新型涉及一种二钼酸铵连续结晶装置,包括加热室、蒸发室、设于蒸发室下部并与其连通的分离室、连接于加热室和蒸发室之间的循环管Ⅰ、连