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摘要
相位噪声作为压控振荡器最核心的指标，反应了压控振荡器提供的本振信号的噪声水平。基于180nmCMOS工艺，通过引入互补交叉耦合对、设计可编程尾电阻、采用电阻钳位开关电容阵列，达到降低相位噪声水平的目的，实现了一种具有宽调谐范围、低相位噪声的互补交叉耦合压控振荡器（VCO）。传统LC-VCO中采用的尾电流源被可编程尾电阻替代，从而抑制尾电流源闪烁噪声上变频对输出信号相位噪声的影响。流片结果显示，在1.5V电源电压下，压控振荡器谐振范围为3.04GHz-4.25GHz，工作电流为3mA，当谐振频率为3.44GHz时，相位噪声为-119.67dBc/Hz@1MHz，压控振荡器优值（FoM）为183.2dBc/Hz。
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